Aspectos Importantes

• Tempo de Acesso: ns (10^-9s), ms (10^-3s)
• Capacidade: Byte, KB (2¹⁰bytes), MB (2²⁰bytes), GB (2³⁰bytes), TB, PB
• Volatilidade
• Tecnologia de Fabricação
• Semicondutores (eletrônica)
• Estática
• Dinâmica
• Meio Magnético (eletromecânica)
• Custo por Byte Armazenado

Memória Principal

Palavra = unidade de informação. Fluxo UCPó Memória

Endereço: encontrar (endereçar) as localizações de memória

Ex: Capacidade de Memória

T = N x M

T: Total de bits

N: Número de endereços localizáveis. N = 2^E

E: Número de bits do Barram. de Endereços (e no REM)

M: Tamanho da palavra (célula endereçavel) (geralmente = ao do RDM)

Exercícios Resolvidos: Páginas 106-108 do Livro "Introd. à Org. Comp."

Memória ROM

Tipos:

Mask-ROM - Gravada na Fábrica do Circuito

PROM (Programmable ROM) - Gravada pelo fabricante do Periférico

EPROM (Erasable PROM) - Apagável com luz Ultra-Violeta

EEPROM (Electric EPROM) - - Apagável com sinais elétricos

Flash-ROM : é uma EEPROM que utiliza baixas tensões de apagamento e este é feito em um tempo bem menor Conteúdo (no PC):

BIOS (Basic Input/Output system) - ensina o processador a lidar com o micro e seus circuitos básicos, como vídeo em modo texto e o acesso à unidade de disquete.

POST (Power On Self Test) - Autoteste inicial (memória, configuração, etc)

Setup - programa de configuração.

Memória Cache

Memória Estática. Serve como atalho (+ rápido) aos dados da RAM.

Influência da Cache no Processamento: Taxa de Acerto (em %)

Tam = h * Tac + (1 - h) * Tar

Tam - Tempo médio de Acesso aos dados da Memória

h - taxa de acerto (Hit Ratio)

Tac - tempo de acesso da Cache

Tar - tempo de acesso da RAM

Classificação quanto à localização (PC): (mais detalhes nas páginas 269-273 do livro Hardware 3^a Edição )

L1 - cache interna (dentro do chip do processador)

L2 - cache externa (no K6 também é interna)

L3 - cache externa do K6

Funcionamento e Arquitetura:

Mapeamento Direto

Completamente Associativo

Àssociativo por Grupos

Memória RAM

Memória Dinâmica

Tecnologias de Memória RAM:

• FPM (Fast Page Mode) acessa uma linha e retém o valor (~60 ns)
• EDO (Extended Data Out) enquanto o dado lido está no barr de dados, a memória já está decodificando o próximo endereço (8% + rápida que a FPM)
• BEDO (Bust EDO) rara, + rápida que EDO nos acessos sequenciais
• SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) utiliza o clock do barramento local (síncrona), isto é, trabalha na velocidade do barramento.
• PC-66
• PC-100
• PC-133
• DDR SDRAM (Double data Rate SDRAM) ou SDRAM-II - Até 200 MHz
• ESDRAM (Enhanced SDRAM)
• RDRAM (Rambus) - baseada em protocolos, ou seja, usa um padrão proprietário de barramento. Até 1,6 GB/s em um barr de 200 MHz (AMD K7) (Figura página 265 - Hardware 3^a Edição)
• SDRAM (Synclinck)

• SIPP (Single In-Line Pin Package) - primeiro pentes de memória. 8 bits. Versões 256 KB, 1 MB e 4 MB.

• SIMM-30 (Single In Line Memory Module - 30 terminais ou vias) - similar ao SIPP, mas com um novo sistema de encaixe. Módulos de 8 bits. Versões 256 KB, 1 MB e 4 MB.

• SIMM-72 - Módulos de 32 bits. A partir de 486. Várias Versões. Mais comuns: 4, 8, 16 e 32 MB.

• DIMM (Double In Line Memory Module) - 168 vias. Módulos de 64 bits. A partir de 486. Várias Versões. Mais comuns: 4, 8, 16 e 32 MB.